半導(dǎo)體水基清洗劑主要用于清洗表面沾污有石蠟、油脂和油脂類高分子化合物以及表面沾污有金屬原子和金屬離子等。在半導(dǎo)體分立器件和中、小規(guī)模集成電路中能夠完全代替?zhèn)鹘y(tǒng)半導(dǎo)體清洗工藝中使用的清洗液。
　　1、產(chǎn)品用途
　　半導(dǎo)體水基清洗劑主要用于清洗表面沾污有石蠟、油脂和油脂類高分子化合物以及表面沾污有金屬原子和金屬離子等。在半導(dǎo)體分立器件和中、小規(guī)模集成電路中能夠完全代替?zhèn)鹘y(tǒng)半導(dǎo)體清洗工藝中使用的清洗液。
　　2、產(chǎn)品特點(diǎn)
　　該清洗劑清洗效果相當(dāng)于或略優(yōu)于傳統(tǒng)清洗工藝，成本卻大大降低，只有傳統(tǒng)清洗工藝成本的10~30％，而且無(wú)毒無(wú)腐蝕性、對(duì)人體無(wú)危害、對(duì)環(huán)境無(wú)污染，經(jīng)濟(jì)效益顯著。
　　3、使用工藝
　　配制清洗液時(shí)，將去離子水加熱到40-60℃，但不要超過(guò)60℃?；蛘哂檬覝厝ルx子水配制亦可。然后按下列體積比進(jìn)行配制。水基清洗劑：去離子水＝1：19將配制好的水基清洗劑倒入石英杯中,清洗液應(yīng)浸沒(méi)過(guò)硅片或晶體為宜,然后將石英杯置于超聲波清洗設(shè)備中（槽中應(yīng)加適量的去離子水）進(jìn)行超聲波清洗5分鐘左右,倒掉清洗液,再用熱去離子水沖洗5分鐘左右,以沖凈為宜。
　　4、注意事項(xiàng)
　　本品呈堿性，若不慎將本品濺到皮膚上應(yīng)立即用清水沖洗，嚴(yán)重者應(yīng)及時(shí)就醫(yī)。
　　5、包裝儲(chǔ)存
　　塑料桶包裝，可以按照客戶要求。儲(chǔ)存于陰涼、通風(fēng)庫(kù)房。
　　1、產(chǎn)品用途
　　半導(dǎo)體水基清洗劑主要用于清洗表面沾污有石蠟、油脂和油脂類高分子化合物以及表面沾污有金屬原子和金屬離子等。在半導(dǎo)體分立器件和中、小規(guī)模集成電路中能夠完全代替?zhèn)鹘y(tǒng)半導(dǎo)體清洗工藝中使用的清洗液。
　　2、產(chǎn)品特點(diǎn)
　　該清洗劑清洗效果相當(dāng)于或略優(yōu)于傳統(tǒng)清洗工藝，成本卻大大降低，只有傳統(tǒng)清洗工藝成本的10~30％，而且無(wú)毒無(wú)腐蝕性、對(duì)人體無(wú)危害、對(duì)環(huán)境無(wú)污染，經(jīng)濟(jì)效益顯著。
　　3、使用工藝
　　配制清洗液時(shí)，將去離子水加熱到40-60℃，但不要超過(guò)60℃?；蛘哂檬覝厝ルx子水配制亦可。然后按下列體積比進(jìn)行配制。水基清洗劑：去離子水＝1：19將配制好的水基清洗劑倒入石英杯中,清洗液應(yīng)浸沒(méi)過(guò)硅片或晶體為宜,然后將石英杯置于超聲波清洗設(shè)備中（槽中應(yīng)加適量的去離子水）進(jìn)行超聲波清洗5分鐘左右,倒掉清洗液,再用熱去離子水沖洗5分鐘左右,以沖凈為宜。
　　4、注意事項(xiàng)
　　本品呈堿性，若不慎將本品濺到皮膚上應(yīng)立即用清水沖洗，嚴(yán)重者應(yīng)及時(shí)就醫(yī)。
　　5、包裝儲(chǔ)存
　　塑料桶包裝，可以按照客戶要求。儲(chǔ)存于陰涼、通風(fēng)庫(kù)房。
　　標(biāo)簽：半導(dǎo)體清洗機(jī)